7月5日，半導(dǎo)體投資聯(lián)盟、ICT知識產(chǎn)權(quán)發(fā)展聯(lián)盟主辦的2025第九屆集微半導(dǎo)體大會在上海張江科學(xué)會堂圓滿閉幕。該大會自2017年創(chuàng)辦以來，受到業(yè)界廣泛好評和高度認(rèn)可，成為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“風(fēng)向標(biāo)”。大會同期舉行了第五屆ICT知識產(chǎn)權(quán)發(fā)展聯(lián)盟年會，匯聚了華為、小米、中興通訊、中微半導(dǎo)體、華大半導(dǎo)體等數(shù)十家國內(nèi)龍頭企業(yè)參與，共同探討ICT產(chǎn)業(yè)知識產(chǎn)權(quán)領(lǐng)域的熱點議題，寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)代表企業(yè)天岳先進應(yīng)邀參會并發(fā)表報告。

天岳先進知識產(chǎn)權(quán)及標(biāo)準(zhǔn)部總監(jiān)楊世興分享了題為《第三代半導(dǎo)體IP破冰之路》的報告。他指出，材料作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基石，不僅決定了器件的性能上限，更引領(lǐng)著技術(shù)創(chuàng)新方向。寬禁帶半導(dǎo)體憑借其獨特優(yōu)勢，在以電動汽車和綠色能源為代表的功率器件市場大放異彩的同時，在AR眼鏡和濾波器等新型應(yīng)用也日漸成熟，在聲光電多領(lǐng)域的市場需求亦持續(xù)攀升。然而，作為新興產(chǎn)業(yè)，第三代半導(dǎo)體行業(yè)普遍面臨專利保護體系不完善、布局規(guī)模偏小等問題。楊世興強調(diào)，需要注重對于專利信息的分析和利用，通過建立知識產(chǎn)權(quán)共享機制、聯(lián)合參與國際標(biāo)準(zhǔn)制定等方法，持續(xù)突破技術(shù)壁壘，以在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局中占據(jù)更主動的地位。

作為國家知識產(chǎn)權(quán)示范企業(yè)，天岳先進聚集全球頂尖研發(fā)資源，攻克了碳化硅材料生長、襯底加工等一系列世界性難題，掌握碳化硅晶體材料產(chǎn)業(yè)化的核心關(guān)鍵技術(shù)。同時，公司高度重視對創(chuàng)新成果的保護，早在2016年就入選了山東省首批關(guān)鍵核心技術(shù)知識產(chǎn)權(quán)群，并于2024年榮獲中國專利銀獎。通過不斷完善專利布局，天岳先進完成了對原料合成、籽晶制備、晶體生長、襯底加工等全流程的技術(shù)成果的有效保護。截至目前，公司累計獲得授權(quán)專利542項，并在歐洲、日本、韓國和中國臺灣地區(qū)獲得14項授權(quán)發(fā)明專利。根據(jù)法國Yole旗下的知識產(chǎn)權(quán)調(diào)查公司Knowmade統(tǒng)計，天岳先進在碳化硅襯底領(lǐng)域的專利規(guī)模位列全球第五，也是唯一進入該榜單前五名的中國企業(yè)。

在完善知識產(chǎn)權(quán)保護與布局支撐下，天岳先進在碳化硅襯底材料領(lǐng)域已經(jīng)從技術(shù)先進性和產(chǎn)品供應(yīng)、交付能力等方面引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展，2024年，其全球?qū)щ娦吞蓟枰r底材料市場占有率升至全球第二，并于2025年率先在業(yè)內(nèi)公布了導(dǎo)電型、半絕緣型、P型全產(chǎn)品系列12英寸技術(shù)，受到全球行業(yè)廣泛關(guān)注和認(rèn)可。不僅如此，天岳先進基于其在碳化硅襯底材料領(lǐng)域的深厚積累，正持續(xù)強化知識產(chǎn)權(quán)保護和技術(shù)布局方面的領(lǐng)先優(yōu)勢，向金剛石等更多新一代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域進行多點布局，致力于發(fā)展成為國際著名的半導(dǎo)體公司。