N型 SiCウェーハは、SBD、MOSFETなど數(shù)多くのパワーデバイスに採(cǎi)用されております。その高熱伝導(dǎo)率、バンドギャップ、化學(xué)的安定性、高強(qiáng)度、低損失、高破壊電界などの特性は、今後より多くのパワーデバイスに応用されるものと期待されています。
