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単結(jié)晶

SiCウェーハ製造方法

SiC wafer manufacturing process

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単結(jié)晶SiCウェーハ製造方法

SICCではSiCパウダー合成から結(jié)晶成長、Waferingの一貫生産ラインを保有し、
エピレディの単結(jié)晶SiCウェーハを生産しています。

炭化ケイ素単結(jié)晶（SiC）は地球上において天然には存在しない物質(zhì)なので、すべて人工的に製造されます。
SICCでは昇華法（改良レーリー法?昇華再結(jié)晶法）という成長技術(shù)でSiC単結(jié)晶を生産しています。
結(jié)晶成長中は2000度を超えるプロセスとなるので、成長途中の観察が困難なため、複雑なパラメーターと計(jì)算技術(shù)をもって
生産を管理しており、近年ではAI技術(shù)を?qū)毪工毪胜?、最先端の成長技術(shù)に取り組んでいます。

昇華法によって生産された単結(jié)晶SiCインゴットは、高精密加工（Wafering）と高精密洗浄、ファイナル検査を経て、
単結(jié)晶SiCウェーハとなります。
完成した単結(jié)晶SiCウェーハは、エピタキシャル工程へ進(jìn)み半導(dǎo)體デバイス製作のプロセスに入っていきますが、
これをエピレディウェーハといいます。

1.

パウダー合成

Si+C=SiCパウダー
SiとCを1:1の割合で合成し、SiCパウダーを製造します。
結(jié)晶成長における不純物混入を避けるため、
高純度プロセスで金屬殘留を出來るだけ防ぎます(0.5ppm以內(nèi))。
2.

種結(jié)晶

SiCパウダーをSiCの種結(jié)晶表面に蒸著させ、薄膜を形成しながら
インゴットを生成します。
3.

結(jié)晶成長

昇華法（改良レーリー法?昇華再結(jié)晶法）
SICCでは昇華法（改良レーリー法?昇華再結(jié)晶法）という成長技術(shù)で
単結(jié)晶SiCのインゴットを生産しています。
4.

スライス

昇華法でできたインゴットをスライスし、SiCウェーハの素地を作成。
5.

研削研磨

MP·CMP
スライスされたSiCウェーハ素地を化學(xué)機(jī)械研磨
(CMP=Chemical Mechanical Polish)で鏡面加工します。
6.

洗浄?検査

加工が終わったSiCウェーハを洗浄で清浄度を確認(rèn)し、
その後厳しい検査を経てお客様の元に出荷します。（エピレディ基板）
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